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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341,S4X(S
| Artikelnummer: | GT20J341,S4X(S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.06 |
| 10+ | $1.848 |
| 100+ | $1.4853 |
| 500+ | $1.2203 |
| 1000+ | $1.0111 |
| 2000+ | $0.9414 |
| 5000+ | $0.9065 |
| 10000+ | $0.9004 |
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Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341,S4X(S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments GT20J341,S4X(S.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Testbedingung 300V, 20A, 33Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 60ns/240ns Schaltenergie 500µJ (on), 400µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 90 ns Leistung - max 45 W Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A GT20J341,S4X(S Einzelheiten PDF [English] GT20J341,S4X(S PDF - EN.pdf -
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